Przegląd technologii azotku gali (GAN)
Przez ponad trzy dekady wydajność i koszty zarządzania energią wykazały stałą poprawę, ponieważ innowacje w strukturach mocy, technologii i topologii obwodów stały się rosnącą potrzebą energii elektrycznej w naszym codziennym życiu. Jednak w nowym tysiącleciu szybkość poprawy spowolniła, gdy mosfet mocy krzemu asymptotycznie zbliżył się do jego granic teoretycznych.
Pobierz ten oficjalny dokument, aby dowiedzieć się więcej.
Czytaj więcej
Wysyłając ten formularz zgadzasz się Efficient Power Conversion Corporation (EPC) kontakt z tobą e-maile marketingowe lub telefonicznie. Możesz zrezygnować z subskrypcji w dowolnym momencie. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) strony internetowe i komunikacji podlegają ich Informacji o ochronie prywatności.
Zamawiając ten zasób, wyrażasz zgodę na nasze warunki użytkowania. Wszystkie dane są chroniony przez nasz Informacja o ochronie prywatności. Jeśli masz jeszcze jakieś pytania, wyślij e-mail dataprotection@techpublishhub.com
powiązane kategorie: Moc, Półprzewodniki, Półprzewodniki mocy
Więcej zasobów z Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
egan® fets w konwerterach rezonansowych o wy...
W tym białym papierze technologia Egan FET jest stosowana w konwerterze rezonansowym o wysokiej częstotliwości. Wcześniej uwzględniono zalety ...
Wybór optymalnej oporności EGAN® FET
Wcześniej opublikowane artykuły wykazały, że Egan FET zachowuje się w większości, podobnie jak urządzenia krzemowe i można je ocenić za p...
sterowniki Egan® FET i względy układu
Rozważając wymagania dotyczące napędu bramki, trzy najważniejsze parametry dla egan FET są (1) maksymalne dopuszczalne napięcie bramki, (2) ...
